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元器件采购网 > 2-717页 > 晶体管(BJT) - 单路2SC5658RM3T5G

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2SC5658RM3T5G

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2SC5658RM3T5G参数
产品类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
说明:TRANSISTOR NPN GP AMP SOT-723
包装数量:1
包装形式:剪切带 (CT)
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晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,60mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):215 @ 1mA,6V
功率 - 最大:260mW
频率 - 转换:180MHz
安装类型:表面贴装

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